英特尔院士：3nm将成为硅栅极工艺极限

发布日期：2014-11-26 浏览次数：76

　　根据英特尔院士，ITRS主席兼英特尔技术及制造部集团董事Paolo Gargini日前表示，英特尔迄今为止，仍未研制出能够节能一至两个数量级的低漏电器件。
　　
　　“也许到2025年，我们才可以克服一切困难。”Gargini表示。
　　
　　因此，在未来的十年内，传统的光刻技术还将存在，“我们仍然可以遵从摩尔定律至10nm甚至更小，但到了1nm、2nm或3nm时，也许一切都将改变。
　　
　　过去20年，英特尔采取了一系列创新之举以便解决硅材料问题，包括应变硅、高K金属栅极，以及EUV等技术，一定程度上克服了硅技术的限制，但现在来讲，已经接近了硅材料的极限了。
　　
　　如今，英特尔已经在广泛选择后硅时代的材料，包括III-V族化合物，比如砷铟化镓的量子阱场效应管（QWFET）和隧道二极管等