“电源产品后级英飞凌600V,1200V等IGBT单管”参数说明
结构形式: | IGBT | 结构工艺: | 合金管 |
安装方式: | 插件 | 材料: | 锗管 |
封装形式: | 金属封装 | 工作状态: | 饱和导通 |
封装: | TO-247 | 电压: | 600V |
包装: | 30PCS/管 | 电流: | 20A |
产量: | 100000 |
“电源产品后级英飞凌600V,1200V等IGBT单管”详细介绍
批号:13+
材料:GE-P-FET锗P沟道
种类:绝缘栅(MOSFET)
类型:通信IC
型号:IKW20N60T
封装外形:CHIP/小型片状
品牌:INFINEON/英飞凌
用途:A/宽频带放大
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
封装:TO-247/TO-3P
材料:GE-P-FET锗P沟道
种类:绝缘栅(MOSFET)
类型:通信IC
型号:IKW20N60T
封装外形:CHIP/小型片状
品牌:INFINEON/英飞凌
用途:A/宽频带放大
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
封装:TO-247/TO-3P