“场效应管FQPF4N90C”参数说明
品牌: | Fairchild | 类型: | 增强型MOS管(N沟道) |
材料: | N-FET硅N沟道 | 封装外形: | P-DIT/塑料双列直插 |
用途: | MOS-INM/独立组件 | 导电方式: | 耗尽型 |
“场效应管FQPF4N90C”详细介绍
N沟道场效应管FQPF4N90C(Vdss=900V,Id=4A,)
封装:TO-220F
用途:DC/直流
种类:其他
批号:11+
特色标志:新品
材料:N-FET硅N沟道
导电方式:其他
沟道类型:N沟道
并提供同类参数的其他品牌型号。
封装:TO-220F
用途:DC/直流
种类:其他
批号:11+
特色标志:新品
材料:N-FET硅N沟道
导电方式:其他
沟道类型:N沟道
并提供同类参数的其他品牌型号。